Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS3570

MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS3570

FDS3570 Hakkında

FDS3570, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 20mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve verimli anahtarlama performansına sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve akım yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir işlem sunar. Gate charge değeri 76nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliklere sahiptir. Bileşenin durumu kullanılmamış (Obsolete) olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok