Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS3512

MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS3512

FDS3512 Hakkında

FDS3512, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drenaj-kaynak gerilimi, 4A sürekli drenaj akımı ve 70mOhm RDS(on) değeri ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüler ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, 18nC kapı yükü ve 634pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 634 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok