Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS3170N7

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
FDS3170N

FDS3170N7 Hakkında

FDS3170N7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 26mOhm maksimum on-direnci ile düşük kayıpla çalışır. 8-SO yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç uygulamalarında anahtar görevi gören bu MOSFET, endüstriyel kontrolcüler, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2714 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6.7A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok