Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS2672
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS2672
FDS2672 Hakkında
FDS2672, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 70mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOIC-8 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyumludur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu FET, motor kontrolleri, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V kapı gerilimi ve 46nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2535 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok