Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS2672-F085

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS2672

FDS2672-F085 Hakkında

FDS2672-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 70mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. 46nC gate charge ve 2535pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarına imkan verir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç denetim devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2535 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok