Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS2672

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS2672

FDS2672 Hakkında

FDS2672, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 70mOhm on-resistance değerine sahiptir. Düşük gate charge (46nC) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 2.5W maksimum güç yayılımında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2535 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok