Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS2670
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS2670
FDS2670 Hakkında
FDS2670, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 130mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen FDS2670, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. Düşük gate charge (43nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama yapabilir ve ısıl yönetimi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1228 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok