Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS2572

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS2572

FDS2572 Hakkında

FDS2572, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 150V Drain-Source gerilim ve 4.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 47mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük geçiş kayıpları sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, güç yönetimi uygulamalarında ve anahtarlama devreleri tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 38nC gate charge ve 2870pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2870 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok