Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS2570
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS2570
FDS2570 Hakkında
FDS2570, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V drain-source voltajı ve 4A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 72mΩ maksimum kanal direnci (10V gate voltajında) ile düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri, motor sürücüleri ve switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 1W maksimum güç tüketimi ile uzun ömürlü tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1907 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok