Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS2170N7
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS2170N
FDS2170N7 Hakkında
FDS2170N7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip olan bu komponent, 128mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. 8-SO (SOIC-8) yüzey montaj paketinde sunulan FDS2170N7, endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlaması uygulamaları ve motor sürücü tasarımlarında kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, maksimum 3W güç dağılımı yapabilir. Vgs(th) eşik gerilimi 4.5V @ 250µA'dır. Komponent obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1292 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok