Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDS2170N3

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
FDS2170N3

FDS2170N3 Hakkında

FDS2170N3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 128mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında çalışır. Güç uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar. Dikkat: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1292 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 128mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok