Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS2170N3
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS2170N3
FDS2170N3 Hakkında
FDS2170N3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 128mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan FDS2170N3, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor sürücüsü, PWM kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüsü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 3W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1292 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok