Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDS2070N3
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDS2070N
FDS2070N3 Hakkında
FDS2070N3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli dren akımı ile tasarlanmış olup, 8-SO yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 78mOhm maksimum RDS(on) direnci ve 53nC gate charge değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılan bu bileşen, üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1884 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok