Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDR858P
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SuperSOT™-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDR858P
FDR858P Hakkında
FDR858P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SuperSOT-8 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 19mΩ on-resistance değerine ulaşır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtar uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve genel amaçlı anahtarlama işlevlerinde kullanılır. Düşük kapasite ve hızlı anahtarlama özellikleriyle değişken frekans uygulamalarına uygundur. Küçük paket boyutu ve 1.8W maksimum güç dağılımı kapasitesi onu yoğun tasarımlar için uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok