Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDR844P

MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8

Paket/Kılıf
SuperSOT™-8
Seri / Aile Numarası
FDR844P

FDR844P Hakkında

FDR844P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesiyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 11mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık-kanal direnci sağlar. SuperSOT-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve ters polarite koruması devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir ve 1.8W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. ±8V gate-source gerilimi toleransı ile geniş kontrol voltajı uyumluluğu sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4951 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok