Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDR840P

MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8

Paket/Kılıf
SuperSOT™-8
Seri / Aile Numarası
FDR840P

FDR840P Hakkında

FDR840P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, surface mount SuperSOT-8 paketinde sunulmaktadır. 12mOhm (4.5V, 10A) on-resistance ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen FDR840P, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, batarya yönetim sistemleri ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 1.8W maksimum güç tüketimi ve 60nC gate charge değerleri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4481 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok