Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDR838P
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SuperSOT™-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDR838P
FDR838P Hakkında
FDR838P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SuperSOT-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 17mΩ on-resistance değerine ulaşır. Gate charge değeri 4.5V'ta maksimum 45nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Analog anahtarlar, güç yönetimi devreleri, load switching ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 1.8W güç tüketebilir. Tasarımcılar için kompakt ve verimli bir çözüm sunan bu transistör, düşük on-resistance ile ısıl kaybı minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok