Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDR836P
P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SuperSOT™-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDR836P
FDR836P Hakkında
FDR836P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 6.1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SuperSOT-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve analog anahtar uygulamalarında kullanılır. 44nC gate charge ve 2200pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok