Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDR6580
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SuperSOT™-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDR6580
FDR6580 Hakkında
FDR6580, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 11.2A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama görevleri gerçekleştirir. 9mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SuperSOT-8 yüzey montaj paketi, kompakt tasarımlar için uygundur. 48nC gate charge ve 3829pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel kontroller, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Lütfen dikkat: Bu ürün üretilmiyor (Obsolete) olup yalnızca arşiv referansı amaçlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3829 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 11.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok