Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDPF8N50NZF

MOSFET N-CH 500V 7A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FDPF8N50NZ

FDPF8N50NZF Hakkında

FDPF8N50NZF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 7A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1Ohm'luk maksimum kaynak-dren direnci (Rds On) ve 40W güç tüketim kapasitesi ile şalter, inverter, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. 10V sürücü geriliminde çalışır ve 18nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 735 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok