Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDPF680N10T
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDPF680N10T
FDPF680N10T Hakkında
FDPF680N10T, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 12A sürekli drain akımı (Id) ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 68mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-state direnci sağlar. Gate threshold gerilimi 4.5V olup, ±20V maksimum gate-source geriliminde çalışır. 1000pF input kapasitansı ve 17nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliklerdir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 24W maksimum güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok