Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDPF5N50NZF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDPF5N50NZF
FDPF5N50NZF Hakkında
FDPF5N50NZF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim sınırı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.2A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.75Ω maksimum Rds(On) değeri ile anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde verimli çalışır. TO-220-3 paket formatında sağlanan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 30W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile soğutma gereksinimlerinin kontrol altında tutulmasını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok