Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDPF3860TYDTU

MOSFET N-CH 100V 20A TO220F-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FDPF3860

FDPF3860TYDTU Hakkında

FDPF3860TYDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 38.2mΩ maksimum on-direnci (10V, 5.9A koşullarında) ile güç uygulamalarında düşük kayıpla çalışmaya elverişlidir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 33.8W maksimum güç tüketebilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye kolayca entegre edilebilir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38.2mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok