Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDPF20N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDPF20N50FT
FDPF20N50FT Hakkında
FDPF20N50FT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 260mOhm maksimum on-state direnci (10A, 10V koşullarında) ile enerji verimliliği sağlar. 38.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük gate charge (65nC@10V) ve hızlı anahtarlama karakteristiğiyle güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok