Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDPF14N30

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FDPF14N30

FDPF14N30 Hakkında

FDPF14N30, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu komponentin maksimum 35W güç tüketimi ve 290mΩ On-Resistance değerleri ile anahtarlama, motor kontrolü, güç kaynağı tasarımları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında kullanımına imkan tanır. ±30V Gate gerilimi ve 1060pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok