Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDPF12N60NZ

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FDPF12N60NZ

FDPF12N60NZ Hakkında

FDPF12N60NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 10V gate drive voltajında 650mOhm on-state direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 39W güç tüketebilir. Gate threshold voltajı 5V'dur. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim dönüştürücülerinde kullanılır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1676 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok