Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDPF12N35

MOSFET N-CH 350V 12A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FDPF12N35

FDPF12N35 Hakkında

FDPF12N35, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 350V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektroniği devrelerinde anahtarlama görevini gerçekleştirir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 380mΩ maksimum on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunar. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu transistör, 31.3W maksimum güç dağıtımını destekler. Entegre Metal Oxide teknolojisi ile üretilmiştir ve through-hole monte edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok