Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDPF085N10A

MOSFET N-CH 100V 40A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FDPF085N10A

FDPF085N10A Hakkında

FDPF085N10A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 40A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve elektriksel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 8.5mOhm maksimum açık kanal direnci (Rds On) ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 33.3W maksimum güç saçılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2695 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok