Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP8N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP8N50NZ
FDP8N50NZ Hakkında
FDP8N50NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj kapasitesi ve 8A maksimum sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. 850mΩ maksimum gate-source direnci (Rds On) ile verimli performans sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı sayesinde geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir. ±25V maksimum gate voltajı ve 130W maksimum güç tüketimi desteği ile güçlü anahtarlama gerektiren tasarımlar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 735 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok