Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP8N50NZ
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP8N50NZ
FDP8N50NZ Hakkında
FDP8N50NZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 850mΩ on-resistance değerine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde yapılmış olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Güç kaynakları, motor sürücüler, anahtarlama devreleri ve AC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 130W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 735 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok