Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP8D5N10C
MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP8D5N10C
FDP8D5N10C Hakkında
FDP8D5N10C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ile 76A sürekli drain akımını destekler. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 8.5mΩ çok düşük on-resistance değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi sayesinde endüstriyel ortamlarda, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve güç kaynağı devrelerinde tercih edilir. 10V gate voltajında çalıştırılması tasarlanmıştır ve 34nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2475 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 76A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok