Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP8860
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP8860
FDP8860 Hakkında
FDP8860, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80A sürekli dren akımı ve 30V drain-source gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 2.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında verimli performans sunar ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 222 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12240 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 254W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok