Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP86363-F085

MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP86363

FDP86363-F085 Hakkında

FDP86363-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 80V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 110A sürekli drenaj akımı (Id) ile çalışır. TO-220-3 paket içinde sunulan bu transistör, 2.8mOhm düşük Rds(On) değeri ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu komponent, güç elektroniği uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300W maksimum güç disipasyonu kapasitesi, ısı yönetimi gerektiren endüstriyel ve otoomotiv uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok