Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP8442-F085

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP8442

FDP8442-F085 Hakkında

FDP8442-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 40V Drain-Source voltajı ve 80A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 3.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. Gate voltajı ±20V aralığında çalışan transistör, anahtarlama, güç dönüştürme, motor kontrol ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok