Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP80N06

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP80N06

FDP80N06 Hakkında

FDP80N06, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 10mΩ maksimum on-state direnci (RDS On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3190 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok