Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP8030L
FDP8030L Hakkında
FDP8030L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 3.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Through-hole montaj türü ile konvansiyonel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok