Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP7N60NZ

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP7N60NZ

FDP7N60NZ Hakkında

FDP7N60NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, AC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 1.25Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direk entegre edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok