Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP7N50
MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP7N50
FDP7N50 Hakkında
FDP7N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürücülerde uygulanır. Maksimum 900mOhm on-resistance (10V, 3.5A koşullarında) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 89W maksimum güç saçılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok