Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP79N15
MOSFET N-CH 150V 79A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP79N15
FDP79N15 Hakkında
FDP79N15, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 79A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 30mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 73nC ve input capacitance 3410pF karakteristikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında, 463W güç saçma kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum ±30V gate gerilimi toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 463W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 39.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok