Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP75N08

MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP75N08

FDP75N08 Hakkında

FDP75N08, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate sürücü gerilimiyle çalışır ve maksimum 131W güç yayabilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında işletilmesine uygun olup, 11mOhm (37.5A, 10V koşullarında) on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Şu anda kullanılmayan (obsolete) bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4468 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 37.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok