Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP6676S
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP6676S
FDP6676S Hakkında
FDP6676S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 76A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 6.5mΩ maksimum on-direnç (10V, 38A koşullarında) düşük ısı üretimini sağlar. ±16V gate voltajı aralığında çalışır ve 56nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. TO-220-3 paketinde gelen komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4853 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok