Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP6676

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP6676

FDP6676 Hakkında

FDP6676, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltajında 84A sürekli drenaj akımı sağlayabilen güç transistörüdür. 6mΩ tipik on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 93W maksimum güç tüketimi ile orta ve yüksek akım uygulamaları için uygundur. ±16V gate-source voltaj toleransı ile geniş tasarım esnekliği sunar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 84A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5324 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok