Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP6670AL
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP6670AL
FDP6670AL Hakkında
FDP6670AL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 30V drain-source voltaj ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, düşük on-state direnci (6.5mOhm @ 40A, 10V) sayesinde güç kaybını minimize eder. -65°C ile 175°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. MOSFET anahtarlama hızı ve kontrolü için düşük gate charge (33nC @ 5V) değerine sahiptir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılan bir bileşendir. Through-hole montaj tipinde tasarlanmış olup, yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2440 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok