Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP65N06

MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP65N06

FDP65N06 Hakkında

FDP65N06, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 65A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile DIP montajı destekler. 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli iletim sağlar. Motorlar, DC-DC konvertörler, invertörler, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 135W güç dissipasyonuna dayanabilir. Gate charge karakteristiği 43nC olup hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2170 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 32.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok