Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP61N20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP61N20
FDP61N20 Hakkında
FDP61N20, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajına ve 61A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtar görevi yapmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 41mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FDP61N20, endüstriyel motor kontrolleri, güç kaynakları, inverter devreleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 417W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan bileşen, 10V kapı sürüm voltajı ile çalıştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok