Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP6035L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP6035L

FDP6035L Hakkında

FDP6035L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 58A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 11mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 46nC ve input capacitance 1230pF değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 75W güç dağılım kapasitesiyle motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç inverterleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok