Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP5N60NZ
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP5N60NZ
FDP5N60NZ Hakkında
FDP5N60NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 4.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paket tipinde monte edilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlanmış mod güç kaynakları (SMPS) tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. 100W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok