Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP5800

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP5800

FDP5800 Hakkında

FDP5800, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source voltajında 80A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 6mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sunar ve maksimum 242W güç dağıtabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan FDP5800, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 2.5V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9160 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok