Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDP5690
MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDP5690
FDP5690 Hakkında
FDP5690, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 32A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışır. 58W güç dağıtma kapasitesine sahip olan FDP5690, endüstriyel kontrol, enerji dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Dijital sinyal tarafından kolayca kontrol edilebilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama özelliğiyle bilinen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok