Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDP5680

MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FDP5680

FDP5680 Hakkında

FDP5680, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 20mΩ maksimum gate-source direnci (Rds On @ 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 65W güç dağıtımına dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok